公开/公告号CN107004744B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 同和电子科技有限公司;
申请/专利号CN201580066931.4
申请日2015-12-07
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 10:29:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-26
授权
授权
2017-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/32 申请日:20151207
实质审查的生效
2017-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20151207
实质审查的生效
2017-08-01
公开
公开
2017-08-01
公开
公开
2017-08-01
公开
公开
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机译: III族氮化物半导体的制造方法,III族氮化物半导体发光器件的制造方法,III族氮化物半导体发光器件,III族氮化物半导体激光元件的制造方法以及III族氮化物半导体
机译: 制造III族氮化物半导体发光器件的方法,制造III族氮化物半导体发光器件的方法,III族氮化物半导体发光器件和灯
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