首页> 中国专利> 含有铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法

含有铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法

摘要

本发明提供在制造(Bi2O2)Am-1BmO3m+1(A=Sr,Ba,Ca,Bi等,B=Ti,Ta,Nb)所示的这种含Bi作为构成元素的多元素氧化物单晶时,能以与制造方法无关地制造结晶性优异的氧化物单晶的方法。在基板上预先堆积助熔剂,其中助熔剂是以摩尔比0<CuO/Bi2O3<2、0≤TiO/Bi2O3<7/6的组合物构成的助熔剂,通过该助熔剂堆积层在基板上堆积单晶薄膜。或者,将含有原料和助熔剂组成制作为由上述摩尔比的组合物形成的熔液,将其冷却培养单晶。或者,在基板上堆积由CuO形成的助熔剂后,使用与目标膜组成相比,Bi过剩的Bi6Ti3O12~Bi8Ti3O12作为标靶,通过堆积,将Bi-Ti-O供应给该助熔剂堆积层,同时在基板上形成Bi4Ti3O12的单结晶薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN100334262C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 独立行政法人科学技术振兴机构;

    申请/专利号CN200480013927.3

  • 发明设计人 鲤沼秀臣;松本祐司;高桥龟太;

    申请日2004-05-21

  • 分类号C30B29/22(20060101);C30B23/08(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/30(20060101);C30B29/32(20060101);C23C14/08(20060101);C23C16/40(20060101);

  • 代理机构11216 北京三幸商标专利事务所;

  • 代理人刘激扬

  • 地址 日本国埼玉县

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/22 授权公告日:20070829 终止日期:20110521 申请日:20040521

    专利权的终止

  • 2007-08-29

    授权

    授权

  • 2006-08-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-21

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号