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一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法

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本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i‑GaN层和n‑GaN层，在n‑GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×10

著录项

公开/公告号CN107369736B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-19

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201710477886.2
发明设计人毕臻;杨晓东;张进成;张春福;吕玲;林志宇;
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申请日2017-06-20
分类号
代理机构西安通大专利代理有限责任公司;
代理人姚咏华
地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2022-08-23 10:26:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-19

授权

授权
2017-12-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/09 申请日:20170620

实质审查的生效
2017-12-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/09 申请日:20170620

实质审查的生效
2017-11-21

公开

公开
2017-11-21

公开

公开
2017-11-21

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