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具纳米晶体或纳米点的存储单元及其制造方法

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摘要

储存层(6)是存在于沟道区域于其中相邻一源极/漏极区域(2)的一区域之上，以及被插入于该沟道区域(3)的一介于中间的、中心的部分。再者，该储存层(6)是由栅极介电质(4)的一材质而形成，并且，系包含通过离子注入所导入的硅、或锗纳米结晶体或纳米点。该栅极电极(5)是由导电间隙壁(7)而在侧翼处加宽。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-09-29

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/105 授权公告日:20070704 终止日期:20160811 申请日:20040811

专利权的终止
2016-01-20

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/105 登记生效日:20151231 变更前: 变更后: 申请日:20040811

专利申请权、专利权的转移
2016-01-20

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/105 登记生效日:20151231 变更前: 变更后: 申请日:20040811

专利申请权、专利权的转移
2012-10-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/105 变更前: 变更后: 申请日:20040811

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-10-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/105 变更前: 变更后: 登记生效日:20120918 申请日:20040811

专利申请权、专利权的转移
2012-10-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/105 变更前: 变更后: 申请日:20040811

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-10-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/105 变更前: 变更后: 登记生效日:20120918 申请日:20040811

专利申请权、专利权的转移
2007-07-04

授权

授权
2007-07-04

授权

授权
2005-04-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-04-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-02-16

公开

公开
2005-02-16

公开

公开

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