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一种导致继电器贮存退化的内部关键因素的分析方法

摘要

一种导致继电器贮存退化的内部关键因素的分析方法,包括如下步骤:建立继电器动态特性仿真模型;基于动态特性仿真建立继电器输出特性快速计算模型;通过蒙特卡洛方法及输出特性快速计算模型计算并拟合继电器输出特性分布;按照拟合结果分散程度筛选出对输出特性影响大的前若干个设计参数;确定选定设计参数最长贮存期对应的退化量;以该退化量为中心值,通过蒙特卡洛方法及输出特性快速计算模型计算并拟合继电器输出特性分布;计算继电器的可靠度,并以可靠度大小为指标确定导致其贮存退化的内部关键因素。本发明可对继电器输出特性进行快速、准确计算。解决了在进行继电器贮存可靠性设计与优化时,难以准确界定导致其贮存退化关键因素的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN107862130B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201711073253.1

  • 申请日2017-11-04

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨龙科专利代理有限公司;

  • 代理人高媛

  • 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:17:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-11

    授权

    授权

  • 2018-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20171104

    实质审查的生效

  • 2018-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20171104

    实质审查的生效

  • 2018-03-30

    公开

    公开

  • 2018-03-30

    公开

    公开

  • 2018-03-30

    公开

    公开

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