一种无机卤素钙钛矿阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种无机卤素钙钛矿阻变存储器及其制备方法，所述存储器为由下电极、阻变层、上电极组成的叠层结构；所述阻变层包括氧化锌薄膜和钙钛矿薄膜；该存储器制备方法为：（A）以硅片为衬底，沉积形成下电极FTO；（B）采用离心甩胶的方法在底电极FTO上镀钙钛矿薄膜；（C）采用磁控溅射的方法在钙钛矿薄膜上沉积一层氧化锌薄膜；（D）形成阻变存储器的上电极。该存储器由全无机材料制成，环保可循环，其set电压较小且具有优异的一致性，通过改变钙钛矿薄膜的厚度和氧化锌的厚度，还可以调节阻变存储器的set电压，器件具有良好的稳定性和耐疲劳性。