适合高温工作的高增益垂直腔面发射半导体激光器

摘要

适合高温工作的高增益垂直腔面发射半导体激光器，属于光电子技术领域，为了解决现有垂直腔面发射半导体激光器在高温工作时存在的发光区增益衰减的问题，其结构由下至上依次为N面电极、N型衬底、N型掺杂DBR、有源区、增益导引层、增益调控电极、氧化层、P型掺杂DBR、P面盖层、P面电极和出光窗口；所述增益导引层由N侧增益导引层及P侧增益导引层组成，且分别位于有源区的上下两侧；所述增益调控电极位于P侧增益导引层上，并且两者电连；本发明具有增益补偿功能的垂直腔面发射激光器在高温环境下具有非常优越的增益稳定性，并且制备工艺简单、适用范围广，在激光通信、原子传感等领域具有非常广阔的应用前景。