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公开/公告号CN105556643B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201480051104.3
发明设计人 M-M·凌;S·康;J·T·彭德;S·D·耐马尼;B·J·霍华德;
申请日2014-07-29
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人黄嵩泉
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:14:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-27
授权
2016-10-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 申请日:20140729
实质审查的生效
2016-05-04
公开
机译: 用于蚀刻蚀刻停止层的方法利用循环蚀刻工艺
机译: 利用循环蚀刻工艺蚀刻蚀刻停止层的方法
机译: 使用循环蚀刻工艺蚀刻停止层的蚀刻工艺
机译:先进的玻璃蚀刻方法,利用金属蚀刻剂可控制蚀刻停止
机译:甲基倍半硅氧烷SiOC(H)低k材料和SiC(H)蚀刻停止层的高密度碳氟化合物等离子体蚀刻:表面分析和蚀刻机理研究
机译:具有蚀刻停止层的无定形铟 - 锌 - 氧化锌薄膜晶体管的电流电压和闪烁噪声分析和统一建模,蚀刻停止层298至333k
机译:利用MBE生长的In / sub 0.5 / Ga / sub 0.5 / P蚀刻停止层的选择性栅极凹陷工艺,用于基于GaAs的FET技术
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:在将氯己定应用于受止血剂污染的牙本质后对全蚀刻和自蚀刻粘合剂系统的剪切粘结强度进行评估
机译:通过集成蚀刻停止层的气相蚀刻并行制备平面透射电子显微镜样品
机译:利用聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)蚀刻掩模对二硫化钼(mos2)进行反应离子蚀刻的工艺开发。