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用于利用循环蚀刻工艺对蚀刻停止层进行蚀刻的方法

摘要

提供了用于使用循环蚀刻工艺对设置在基板上的蚀刻停止层进行蚀刻的方法。在一个实施例中,用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法包括以下步骤:通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺,所述基板具有设置在所述基板上的所述氮化硅层;以及通过将化学蚀刻气体混合物供应至处理腔室来对所述基板执行化学蚀刻工艺,其中化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮,其中化学蚀刻工艺蚀刻所述经处理的氮化硅层。

著录项

  • 公开/公告号CN105556643B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201480051104.3

  • 申请日2014-07-29

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄嵩泉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:14:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-27

    授权

    授权

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 申请日:20140729

    实质审查的生效

  • 2016-05-04

    公开

    公开

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