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公开/公告号CN106887328B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN201710044602.0
发明设计人 王三胜;张玉;
申请日2017-01-19
分类号
代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙);
代理人刘秀珍
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2022-08-23 10:12:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-19
授权
2017-07-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01F41/18 申请日:20170119
实质审查的生效
2017-06-23
公开
机译: 在块状半导体衬底上沉积的非晶膜的局部厚盒横向外延重取向上制造局部SOI,用于光子学器件集成
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