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公开/公告号CN105679632B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201610031466.7
发明设计人 哈梅特·辛格;
申请日2012-07-11
分类号
代理机构上海胜康律师事务所;
代理人樊英如
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:11:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-01
授权
2016-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20120711
实质审查的生效
2016-06-15
公开
机译: 使用由惰性气体形成的亚稳态气体进行原子层蚀刻
机译: 使用由惰性气体产生的亚稳态气体进行原子层蚀刻
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机译:通过使用O2和BCL3等离子体的原子层蚀刻来损坏和自限制(AL)GaN蚀刻工艺
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