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使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻

摘要

本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室,该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体,且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体,然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层,同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。

著录项

  • 公开/公告号CN105679632B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朗姆研究公司;

    申请/专利号CN201610031466.7

  • 发明设计人 哈梅特·辛格;

    申请日2012-07-11

  • 分类号

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人樊英如

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-01

    授权

    授权

  • 2016-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20120711

    实质审查的生效

  • 2016-06-15

    公开

    公开

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