法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-04
授权
授权
2016-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20160120
实质审查的生效
2016-06-15
公开
公开
机译: p型半导体氧化镍作为大容量异质结太阳能电池中阳极表面的效率增强层
机译: 用于大功率太阳能电池的局部异质接触产生装置,具有通过等离子体蚀刻形成的半导体材料的表面钝化层,其中箔用作异质接触的分离工艺的掩模
机译: 在两个不同表面上扩散引入的包含异质结和掺杂区的光伏太阳能电池的制备方法