首页> 中国专利> 一种表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池及其制备方法

一种表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池,该太阳能电池自下而上依次有背面电极、半导体衬底、二维材料和金属量子点层,在二维材料层上还设有正面电极,在半导体衬底与二维材料层之间设有电极绝缘层。其制备方法如下:首先在半导体衬底一面制作背面电极,之后在另一面制作电极绝缘层,然后将二维材料转移至半导体衬底上,再在二维材料上制作金属量子点层以及正面电极。本发明的表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池利用表面等离子共振提高二维材料/半导体异质结太阳能电池的转化效率,工艺简单,便于推广。

著录项

  • 公开/公告号CN105679861B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201610039779.7

  • 发明设计人 林时胜;李晓强;

    申请日2016-01-20

  • 分类号

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人韩介梅

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-04

    授权

    授权

  • 2016-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20160120

    实质审查的生效

  • 2016-06-15

    公开

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