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一种抗读干扰的阻变存储器读方法

摘要

本发明公开了一种抗读干扰的阻变存储器读方法,包括:判断读使能是否有效,如果无效继续等待读使能有效;读使能有效后对读地址进行译码,映射到相应的阻变存储器的字;在读地址选中的阻变存储器的字的各个阻变单元上加相应的正向读电压Vr,持续时间T;将读出的数据写入读出寄存器buffer;判断读出的数据中阻变单元存储的数据是否存在“0”,如果存在“0”则执行下一步,否则返回继续判断读使能是否有效;在后台对阻变单元存储的数据为“0”的阻变单元进行一次ReRead操作;完成以上操作后返回继续判断读使能是否有效。本发明通过在阻变存储器的读过程中添加了后台ReRead过程,解决了由于读干扰导致的数据翻转失效问题,提高了阻变存储器数据存储的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN104766627B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201510188989.8

  • 发明设计人 张锋;项中元;

    申请日2015-04-21

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-08

    授权

    授权

  • 2015-08-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20150421

    实质审查的生效

  • 2015-07-08

    公开

    公开

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