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一种可用在核聚变实验装置中的锂硅复合射频壁处理工艺

摘要

本发明公开了一种可用在核聚变实验装置中的锂硅复合射频壁处理工艺,主要是为高性能等离子体物理实验创造优化的壁条件。本发明的特征在于根据装置壁涂层成份与结构设计理论,使用等离子体辅助化学气相沉积PACVD方法,在HT-7超导托卡马克射频硅化过程中通入锂蒸汽,实现原位射频锂硅复合壁处理,该种功能涂层不仅具有锂化的高效能,而且能将一般锂化几炮的使用寿命提高到几百炮以上,从而为高功率、长脉冲等离子体物理实验创造很好的壁条件。同时这种壁处理可在纵场线圈不退磁的情况下进行,是更适合于今后国际热核聚变实验堆ITER及未来聚变反应堆的一种壁处理模式。

著录项

  • 公开/公告号CN1279545C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-10-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院等离子体物理研究所;

    申请/专利号CN200410065015.2

  • 发明设计人 陈俊凌;

    申请日2004-10-16

  • 分类号

  • 代理机构合肥华信专利商标事务所;

  • 代理人余成俊

  • 地址 230031 安徽省合肥市1126信箱

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-12-17

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2006-10-11

    授权

    授权

  • 2005-08-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-08

    公开

    公开

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