单一频率激励下二维空间任意一点合成电场计算的方法

摘要

本发明涉及单一频率激励下二维空间任意一点合成电场计算的方法。对于空间任意一点电场强度的计算，该方法首先基于有限元仿真软件ANSYS，计算出该点在一个周期内的电场强度X、Y分量，通过电场强度合成量幅值与相位的关系，再利用本发明所涉及的方法计算出电场强度合成量的最大值。本方法对于二维空间任意一点的电场强度计算，有着计算时间短、效率高、无理论误差等优点。