首页> 中国专利> 氧化锑被覆氧化硅类微粒、其制造方法及含该微粒的膜被覆基材

氧化锑被覆氧化硅类微粒、其制造方法及含该微粒的膜被覆基材

摘要

本发明提供一种折射率低并且具有导电性的氧化锑被覆氧化硅类微粒。此氧化锑被覆氧化硅类微粒由多孔质的氧化硅类微粒或内部具有空洞的氧化硅微粒上被覆氧化锑而形成。此氧化锑被覆氧化硅类微粒的折射率在1.35~1.60的范围内,体积电阻值在10~5000Ω/cm的范围内,平均粒径在5~300nm的范围内,氧化锑被覆层的厚度在0.5~30nm的范围内。

著录项

  • 公开/公告号CN1281491C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 触媒化成工业株式会社;

    申请/专利号CN200410084010.4

  • 申请日2004-10-13

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人杨宏军

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-01

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C01B 33/18 变更前: 变更后: 申请日:20041013

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2006-10-25

    授权

    授权

  • 2005-06-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-27

    公开

    公开

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