法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
授权
授权
2015-01-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01P1/32 申请日:20130626
实质审查的生效
2014-12-31
公开
公开
机译: 垂直结构的第3族基于氮化物的半导体发光二极管装置及其制造方法,没有晶片弯曲现象和对单芯片的发光二极管装置的损害
机译: 能够通过表面等离子现象提高发光二极管的光效率的基于氧化锌的发光二极管
机译: 切换连续的基于二极管的基于二极管的微波发生器的方法