公开/公告号CN1276513C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 友达光电股份有限公司;
申请/专利号CN200310102976.1
发明设计人 孙文堂;
申请日2003-10-31
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人王志森
地址 台湾省新竹市
入库时间 2022-08-23 08:58:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-09-20
授权
授权
2005-01-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-10-27
公开
公开
机译: 在集成电路的多孔绝缘层上形成薄膜的方法,形成多孔绝缘层的金属氮化物阻挡层的方法和集成电路
机译: 制造包括多孔绝缘层的集成电路的方法,该多孔绝缘层具有从绝缘层的上表面延伸的多个沟槽
机译: 制造集成电路的方法包括形成具有多个接触元件的绝缘层,其中在先前的绝缘层上形成另一个绝缘层