采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件

摘要

本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏区，源区和漂移区之间的沟道掺杂区的表面上生长栅氧化层，栅氧化层上生长栅，漂移区至少覆盖有向漂移区引入应力的本征应变膜二，所述沟道掺杂区至少覆盖有向沟道掺杂区引入应力的本征应变膜一。通过向沟道区引及漂移区引入张应力或压应力，达到使沟道区和漂移区载流子的迁移率得到大幅提升的效果。适用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。