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一种原位‑非原位同时生长超长氮化硅纳米材料的方法

摘要

一种原位‑非原位同时生长超长氮化硅纳米材料的方法,涉及一种氮化硅纳米材料的制备方法。本发明是为了解决目前超长氮化硅纳米材料的制备方法需要催化剂,导致产物纯度不高,影响纳米线的高温性能及后续应用、反应条件较为苛刻,如加压、通入易燃性气体等,导致操作安全性较低,对设备要求较高的技术问题。本发明:一、制备预制粉体;二、煅烧。本发明操作过程较为简单、设备要求低、安全系数高等。本发明应用于制备超长氮化硅纳米材料。

著录项

  • 公开/公告号CN105502315B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201610060579.X

  • 发明设计人 胡平;董顺;程源;孙博谦;

    申请日2016-01-28

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人侯静

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 10:02:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-03

    授权

    授权

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/068 申请日:20160128

    实质审查的生效

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/068 申请日:20160128

    实质审查的生效

  • 2016-04-20

    公开

    公开

  • 2016-04-20

    公开

    公开

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