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基于Pt掺杂SnO2有序介孔薄膜的气体传感器制备方法

摘要

本发明涉及基于Pt掺杂SnO有序介孔薄膜的气体传感器制备方法,属于无机半导体传感材料制备工艺技术领域。本发明的气体传感器以Pt掺杂SnO有序介孔薄膜作为传感器的传感层,采用自扩散溶剂挥发自组装方法在溅射有金叉指电极的硅基片抛光表面制备Pt掺杂SnO有序介孔薄膜,所用前驱物为聚异丁烯‑b‑聚环氧乙烷嵌段共聚物与无水四氯化锡、无水乙醇、四氢呋喃,掺杂剂氯铂酸按与锡质量比1.0%~5.5%掺入,再将硅片制品置于马弗炉中进行热处理,所获得的薄膜孔径为12~15 nm,且具有规整性的孔道竖直的Pt掺杂SnO有序介孔薄膜。使用本发明所获得的Pt掺杂SnO2有序介孔薄膜检测甲烷气体,具有对甲烷气体灵敏度高,响应、恢复速度快等优点,有较好的实际应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN105092659B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 云南大学;

    申请/专利号CN201510537957.4

  • 发明设计人 王毓德;董成军;肖雪春;

    申请日2015-08-28

  • 分类号G01N27/12(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 650091 云南省昆明市翠湖北路2号云南大学

  • 入库时间 2022-08-23 10:02:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-03

    授权

    授权

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20150828

    实质审查的生效

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20150828

    实质审查的生效

  • 2015-11-25

    公开

    公开

  • 2015-11-25

    公开

    公开

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