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SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器

摘要

本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器。所述SRAM存储单元包括:数据锁存器、选择控制器、第一传输管及第二传输管,所述选择控制器与所述数据锁存器的电源相连,用于控制所述数据锁存器的电源与电源电压相连或者与地电平相连。所述写操作方法包括:在对所述SRAM存储单元进行写操作之前,对所述SRAM存储单元清零,使第一存储节点和第二存储节点放电至地电平。本发明可以提高SRAM存储单元写操作的可靠性,降低写操作时的瞬时功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN103700397B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格科微电子(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201310674701.9

  • 发明设计人 赵立新;董小英;俞大立;乔劲轩;

    申请日2013-12-11

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11F

  • 入库时间 2022-08-23 10:02:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-10

    授权

    授权

  • 2014-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20131211

    实质审查的生效

  • 2014-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20131211

    实质审查的生效

  • 2014-04-02

    公开

    公开

  • 2014-04-02

    公开

    公开

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