公开/公告号CN103700397B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 格科微电子(上海)有限公司;
申请/专利号CN201310674701.9
申请日2013-12-11
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人吴敏
地址 201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11F
入库时间 2022-08-23 10:02:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-10
授权
授权
2014-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20131211
实质审查的生效
2014-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20131211
实质审查的生效
2014-04-02
公开
公开
2014-04-02
公开
公开
机译: 四端子存储单元,两晶体管SRAM单元,SRAM阵列,计算机系统,用于形成SRAM单元的过程,用于关闭SRAM单元的过程,用于写入SRAM单元的过程以及用于读取数据的过程来自SRAM单元
机译: 四端子存储单元,两晶体管SRAM单元,SRAM阵列,计算机系统,用于形成SRAM单元的过程,用于关闭SRAM单元的过程,用于写入SRAM单元的过程以及用于读取数据的过程来自SRAM单元
机译: 评估SRAM存储单元的方法和记录该SRAM存储单元的评估程序的计算机可读记录介质