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GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳能电池的制备方法

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摘要

本发明涉及一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳能电池的制备方法，包括制作Ge结电池和GaInP/GaAs/InGaAs电池组，其特点是：还包括将Ge结电池的n+GalnP2面和GaInP/GaAs/InGaAs电池组的p+AlGaAs面进行表面处理、键合、退火后，依次剥离掉GaInP/GaAs/InGaAs电池组上的GaAs衬底、缓冲层和GaInP腐蚀停止层，封装后制成GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳能电池。本发明将两电池低温键合，工艺简单，不翘曲、不破碎，制成的GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳能电池禁带宽度达到1.9/1.4/1.0/0.67eV。

著录项

  • 公开/公告号CN104282795B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十八研究所;

    申请/专利号CN201310275857.X

  • 发明设计人 薛超;

    申请日2013-07-03

  • 分类号H01L31/18(20060101);

  • 代理机构12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司;

  • 代理人李凤

  • 地址 300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号

  • 入库时间 2022-08-23 09:59:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-08

    授权

    授权

  • 2015-12-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20130703

    实质审查的生效

  • 2015-12-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20130703

    实质审查的生效

  • 2015-01-14

    公开

    公开

  • 2015-01-14

    公开

    公开

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