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使用沟槽结构制备图案的方法及其制备的图案,以及使用该制备方法制备太阳能电池的方法及其制备的太阳能电池

摘要

本公开提供一种制备图案的方法,包括:使用喷墨法在基板上形成沟槽结构;用填料填充沟槽结构的内部;并去除所述沟槽结构,以及使用该方法制备的图案,本公开还提供使用所述制备图案的方法制备太阳能电池的方法,以及使用该方法制备的太阳能电池。

著录项

  • 公开/公告号CN104247050B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG化学株式会社;

    申请/专利号CN201480000866.0

  • 发明设计人 具勇成;金俊衡;

    申请日2014-04-15

  • 分类号

  • 代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司;

  • 代理人李静

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2022-08-23 09:58:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-14

    授权

    授权

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20140415

    实质审查的生效

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20140415

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

    公开

  • 2014-12-24

    公开

    公开

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