形成本地化的绝缘体上硅鳍式场效应晶体管的方法和结构

摘要

披露了形成本地化绝缘体上硅(SOI)finFET 104的方法和结构。在块型衬底102上形成鳍。氮化物间隔物208保护鳍的侧壁。在鳍上沉积浅沟槽隔离区域412。氧化工艺使得氧通过浅沟槽隔离区域412扩散到下方的硅中。氧与硅反应生成氧化物，其为鳍提供电隔离。浅沟槽隔离区域与鳍和/或鳍上所沉积的氮化物间隔物直接物理接触。