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一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法

摘要

一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法,它涉及一种镁合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有应用于航天器的铝合金材料重量大,镁合金热控涂层吸收率高和镁合金基体与热控涂层高结合力低的问题。制备方法:首先对镁合金进行处理,然后采用脉冲微弧氧化电源进行微弧氧化,即完成利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。本发明在镁合金表面制备的低太阳吸收率高发射率涂层厚度达到30μm~120μm,太阳吸收率为0.2~0.4,发射率为0.85~0.95,粗糙度为1μm~10μm。本发明可获得一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN104532324B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201410822035.3

  • 发明设计人 姚忠平;李超楠;夏琦兴;姜兆华;

    申请日2014-12-25

  • 分类号C25D11/30(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人牟永林

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:57:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-20

    授权

    授权

  • 2015-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/30 申请日:20141225

    实质审查的生效

  • 2015-04-22

    公开

    公开

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