一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜，所述半极性GaN薄膜包括Si衬底以及在Si衬底的(001)晶面往Si衬底的(111)晶面朝向依次外延生长的AlN薄膜层、中间层和外延层。本发明还包括该GaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：将Si衬底进行蚀刻图案处理、然后依次外延AlN层、中间层和外延层。本发明的生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及制备方法，具有质量高、性能好、成本低等优点。