一种制备纳米级高纯氮化硅的方法

摘要

本发明涉及一种制备纳米级高纯氮化硅的方法,使用四氯化硅和氨为原料，在‑60℃～‑35℃的低温环境内，通过溶解在有机烃中的四氯化硅与氨之间的液相反应，合成氮化硅的前驱物Si(NH)₂，之后纯化得到Si(NH)₂粉末，最后将前驱物Si(NH)₂粉末在1000～1400℃环境下热解制备得到纳米级高纯氮化硅。本发明克服了现有方法制备的氮化硅颗粒粗、纯度底的缺点，所制备的氮化硅粒径为50‑200nm，Fe、Al、Ca等杂质含量小于100ppm，具有粒径小、纯度高的显著优点，在高端氮化硅制品领域具有广阔的应用前景。