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一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用

摘要

一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用,属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列,垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列,然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W,再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。

著录项

  • 公开/公告号CN104611697B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201410596631.4

  • 申请日2014-10-29

  • 分类号

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-26

    授权

    授权

  • 2015-06-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 28/00 申请日:20141029

    实质审查的生效

  • 2015-05-13

    公开

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