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不对称深度微沟槽电极及应用其放电加工微弯孔的方法

摘要

本发明公开了不对称深度微沟槽电极及应用其放电加工微弯孔的方法。该不对称深度微沟槽电极在圆柱形的电极整个圆周上沿轴向布有V形的微沟槽,微沟槽的深度呈上下逐渐变深趋势,从上到下左右对称地为第二微沟槽到第n微沟槽,微沟槽的沟槽深度变化规律为:h

著录项

  • 公开/公告号CN104741711B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201510100665.4

  • 申请日2015-03-06

  • 分类号

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人罗观祥

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-19

    授权

    授权

  • 2015-07-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):B23H 1/04 申请日:20150306

    实质审查的生效

  • 2015-07-01

    公开

    公开

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