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AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池

摘要

AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池,包括底电池、中间电池、顶电池以及连接各子电池的隧道结;所述底电池是Gepn结电池,所述中间电池Base层由晶格匹配的GaIn0.01As和In组分渐变的应变Ga1‑xInxAs量子阱构成,所述顶电池是Base层为Al组分渐变的AlGaAs结构,所述多结太阳电池各子电池短路电流相等,并用隧道结相连接。同时,各子电池和其间的隧道结均与衬底实现晶格匹配。各子电池及其间的隧道结均用MOCVD在衬底上生长而成。该电池壳充分利用太阳光不同波段的光子能量,提高太阳电池的光电转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN104300015B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201410539502.1

  • 申请日2014-10-13

  • 分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/0725(20120101);H01L31/074(20120101);H01L31/0328(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人沈波

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-18

    授权

    授权

  • 2015-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20141013

    实质审查的生效

  • 2015-01-21

    公开

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