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一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法

摘要

本发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括:真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场,控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔,从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数,获得上述电子源电子发射的定量化参数,为评价场发射电子源性能,优化场发射电子源制备工艺,完善场发射电子源制备平台提供定量依据。

著录项

  • 公开/公告号CN104134604B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201410158183.X

  • 申请日2014-04-18

  • 分类号

  • 代理机构北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王岩

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:47:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-05

    授权

    授权

  • 2014-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/06 申请日:20140418

    实质审查的生效

  • 2014-11-05

    公开

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