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提高高温RTA制程硅片接触点处少数载流子寿命的装置

摘要

本实用新型公开一种提高高温RTA制程硅片接触点处少数载流子寿命的装置,包括RTA机台、基座、升降部件和驱动部件,基座为一侧具有开口的环形结构,且其内径小于硅片直径,开口与RTA机台进口相对;升降部件一端与连接在RTA机台上盖的石英玻璃上,另一端与基座连接,升降部件能够带动基座上升或下降,使基座处于石英顶针顶端上方或下方;驱动部件用于驱动升降部件上升或下降;基座和升降部件均安装在RTA机台内。本实用新型能够实现在RTO工艺时硅片脱离石英顶针长氧化膜,使硅片表面全部覆盖氧化膜,从而提高硅片的少数载流子寿命,为后续高温RTA制程时硅片与石英顶针接触处提供应力缓冲及污染阻挡的作用,提高硅片的合格率。

著录项

  • 公开/公告号CN217387089U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 徐州鑫晶半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202220697351.2

  • 发明设计人 王振;李青海;

    申请日2022-03-29

  • 分类号H01L21/67;H01L21/324;C30B33/02;C30B29/06;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 221000 江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号

  • 入库时间 2022-09-27 00:05:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-06

    授权

    实用新型专利权授予

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