公开/公告号CN215888285U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 福建省地质工程勘察院;龙岩紫金山公园投资集团有限公司;
申请/专利号CN202121569993.6
申请日2021-07-09
分类号E02D17/20(20060101);E02D3/12(20060101);
代理机构33475 杭州汇和信专利代理有限公司;
代理人薛文玲
地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路145号
入库时间 2022-08-23 05:00:50
机译: 基于低温沉积技术的基于III-V和ZN的FINFET结构
机译: 使用低温沉积技术形成基于III-V和Zn的finFET结构
机译: 使用低温沉积技术形成基于III-V和锌的finFET结构的方法