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半导体器件退饱和状态检测电路

摘要

本实用新型提供一种半导体器件退饱和状态检测电路,所述半导体器件退饱和状态检测电路包括用于驱动所述半导体器件的驱动单元、第一限流电阻、第一单向导通元件、第二单向导通元件、上拉电阻、稳压单元、故障信号生成单元及控制器。本实用新型的技术方案,能够降低半导体器件进入退饱和状态的检测成本。

著录项

  • 公开/公告号CN215678634U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市汇川技术股份有限公司;

    申请/专利号CN202122255436.3

  • 发明设计人 赵怀阳;

    申请日2021-09-16

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构44287 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所;

  • 代理人付海萍

  • 地址 518000 广东省深圳市宝安70区留仙二路鸿威工业园E栋

  • 入库时间 2022-08-23 04:19:47

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