一种Ta₂O₅/ZnO/HfO₂非对称双异质结发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Ta₂O₅/ZnO/HfO₂非对称双异质结发光二极管及其制备方法。该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO₂电子阻挡层、本征ZnO有源层、Ta₂O₅空穴阻挡层和第一电极，第二电极和HfO₂电子阻挡层并列沉积在衬底上。采用Ta₂O₅作为空穴阻挡层，与HfO₂电子阻挡层配合作用将载流子限制在ZnO有源层中，能有效地抑制p‑GaN衬底侧的发光、提高ZnO有源层的发光强度。Ta₂O₅/ZnO/HfO₂非对称双异质结发光二极管发光峰值波长在680nm附近，半高宽约为150nm。制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。