InAs基室温宽波段红外光电探测器

摘要

本专利公开了一种InAs基室温宽波段红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极(5)制备在阻挡层上，上电极(6)制备在窗口层上。本专利提供的光电探测器具有室温下探测率高，可零偏压工作，有效探测波长范围宽等优点。