用应变的Si/SiGe层的迁移率增强的晶体管

摘要

本发明包括SOI基片上同样薄的顶Si层上的薄Si/SiGe叠层。SiGe层是压缩应变的但有局部松弛，各Si层是拉伸应变的，无高位错密度。SOI基片的Si层厚度范围是10至40nm。SiGe层厚度范围是5至50nm。顶Si第二层的厚度范围是2至50nm。热氧化部分顶Si层，形成用于MOS的栅电介质。