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跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路

摘要

本实用新型涉及一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路,属于无源混频器设计领域。该电路包括一个NMOS管,七个电阻,四个开关;其中第一电阻的1端、第二电阻的2端均和NMOS管的栅极连接于Vg1节点,第一电阻的2端和NMOS管的源极均接地,第二电阻的1端、第三电阻的2端均与NMOS管M1的漏极相连接,参考电流IREF从第七电阻的1端流入,第七电阻的2端依次与第六、第五、第四、第三电阻串连;四个开关的一端分别接第六电阻、第五电阻、第四电阻和第三电阻的1端,四个开关的另一端相连共同输入偏置电压VBIAS。本实用新型可解决因NMOS开关管漏电而恶化混频器线性度的问题,电路结构简单,功耗低。

著录项

  • 公开/公告号CN210899084U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市纽瑞芯科技有限公司;

    申请/专利号CN201922117297.0

  • 发明设计人 肖玉忠;陈勇刚;

    申请日2019-12-02

  • 分类号

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人廖元秋

  • 地址 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道岗头社区天安云谷产业园一期3栋ABCD座B2603

  • 入库时间 2022-08-22 14:58:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-30

    授权

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