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一种高场强高靶材利用率的阴极

摘要

本实用新型涉及磁控溅射阴极,公开了一种高场强高靶材利用率的阴极,其核心是由磁钢组和磁轭组成的磁路模块,磁钢组通过磁力与磁轭连接,磁路模块包括一个磁轭,磁钢组由五道不等距且平行放置的磁钢组成,磁钢的磁极交错设置。本实用新型提供的磁路结构使得阴极表面拥有更多的与靶材平行的磁场分量,能够对靶面进行更大面积的刻蚀,从而提升了靶材的利用率,有效节省了材料;单个靶材使用时间的延长,可以避免频繁更换靶材,降低开真空室的次数,保证生产的连续性,提高工作效率,也可以改善产品的洁净度。另外,该阴极通过五道磁钢的配合,在提供更多平行磁场分量的同时保证了靶材表面的磁场强度,可以对导磁性材料或者较厚的靶材进行有效溅射,拓宽了产品的应用领域,也对溅射效率进行了有效提高。

著录项

  • 公开/公告号CN209974873U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州朗为科技有限公司;

    申请/专利号CN201920349203.X

  • 发明设计人 张奇龙;李伟;

    申请日2019-03-19

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 310000 浙江省杭州市余杭区良渚街道纳贤街3号1幢4楼

  • 入库时间 2022-08-22 12:17:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    授权

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