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公开/公告号CN209541940U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-10-25
原文格式PDF
申请/专利权人 广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学;
申请/专利号CN201821966031.2
发明设计人 余占清;王晓蕊;牟亚;曾嵘;庄池杰;
申请日2018-11-27
分类号
代理机构北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张陆军
地址 516000 广东省惠州市惠城区惠州大道中19号
入库时间 2022-08-22 11:03:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-25
授权
机译: 基于带有微刻图的SOI结构的压阻式压力传感器。
机译: 激励基于多晶硅的压阻式压力传感器
机译:基于MEMS压阻式压力传感器的硅隔膜的应力与频率分析
机译:基于MEMS技术的多晶硅压阻式压力传感器
机译:基于多晶硅压阻仪PDMS(聚二甲基硅氧烷)基于MEMS力传感器的MEMS力传感器的设计分析
机译:用于CMOS-MEMS集成的硅MEMS压阻式压力传感器的SPICE兼容热模型的开发
机译:CMOS-MEMS压阻式加速度计和纳米牛顿力传感器的设计和微制造。
机译:基于MEMS的压阻式加速度计用于头部损伤监测的机械结构设计:通过传感器惯性质量矩增量的计算分析
机译:一种改进的基于mEms的压阻式压力传感器的设计与制作
机译:多层多晶硅谐振器中的压阻式转换。