公开/公告号CN207457423U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 广州市赛保检测技术有限公司;
申请/专利号CN201721517280.9
申请日2017-11-15
分类号
代理机构
代理人
地址 510000 广东省广州市天河区东莞庄路亿豪东街118-8号
入库时间 2022-08-22 05:14:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R31/26 授权公告日:20180605 终止日期:20181115 申请日:20171115
专利权的终止
2018-06-05
授权
授权
机译: 制造基于发光二极管的热辐射基体的方法和一种基于发光二极管的热辐射基体的结构,能够通过插入热辐射鳍片来提高热导率和电导率
机译: 具有量子阱和超晶格的基于III族氮化物的发光二极管结构,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构
机译: 具有量子阱和超晶格的基于III族氮化物的发光二极管结构,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构