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重新布线层及具有所述重新布线层的封装结构

摘要

本实用新型提供一种重新布线层及具有所述重新布线层的封装结构,所述重新布线层至少包括:介电层;金属叠层结构,位于所述介电层内,所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞,所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间,以将相邻的所述金属线层电连接;金属种子层,位于所述介电层内,且位于所述金属叠层结构的一表面上,所述金属种子层的材料与所述金属线层的材料相同。本实用新型的重新布线层采用与其材料相同的单一材料作为种子层,在对种子层进行刻蚀时不存在侧切现象,所述重新布线层中金属线的线宽及线间距均比较小;将所述重新布线层应用于封装结构中时,在相同的尺寸内可以得到更多的供电轨道。

著录项

  • 公开/公告号CN207165556U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中芯长电半导体(江阴)有限公司;

    申请/专利号CN201720531295.4

  • 发明设计人 吴政达;林正忠;蔡奇风;林章申;

    申请日2017-05-15

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人余明伟

  • 地址 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号

  • 入库时间 2022-08-22 04:24:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-30

    授权

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