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公开/公告号CN207133358U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 湖北工程学院;
申请/专利号CN201720918860.2
发明设计人 张宇薇;余华清;曾庆栋;童菊芳;王波云;熊良斌;肖永军;宣文静;张珍云;吕昊;丁么明;
申请日2017-07-26
分类号
代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王宁宁
地址 432000 湖北省孝感市孝南区交通大道272号
入库时间 2022-08-22 04:19:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-23
授权
机译: 具有降低导通电阻的横向动力装置
机译: 常关III-氮化物晶体管,具有高阈值电压和低导通电阻
机译: 具有降低导通电阻的半导体器件
机译:具有局部浮动超结的低导通电阻4H-SiC UMOSFET
机译:Torex / Semicon低导通电阻,高速开关特性-30V耐压通用Pch MOSFET
机译:1200 V超晶格硅上GaN异质结构的低导通电阻和低陷阱效应
机译:Si功率器件堆叠芯片,双面Cu电镀用于低导通电阻
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:以高k ZrO2为电介质的低导通电阻金刚石场效应晶体管
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发