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一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关、具有竖直结构的晶闸管和集成电路

摘要

一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关、具有竖直结构的晶闸管和集成电路。对于具有竖直结构的三端双向可控硅开关,竖直结构从硅衬底被形成,硅衬底具有上侧表面。上侧表面上的主涂敷金属的第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上。主涂敷金属的第二部分置于上述层的部分上。上侧表面上的栅极涂敷金属置于在第一区域的附近形成在上述层中的第一传导类型的第二区域上。在上侧表面上形成在上述层中的多孔硅棒具有与栅极涂敷金属接触的第一端以及与主涂敷金属接触的第二端。

著录项

  • 公开/公告号CN206497894U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体(图尔)公司;

    申请/专利号CN201621091076.0

  • 发明设计人 S·蒙纳德;

    申请日2016-09-28

  • 分类号H01L29/747(20060101);H01L27/04(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 法国图尔

  • 入库时间 2022-08-22 02:59:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-15

    授权

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