法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-04
授权
授权
2014-11-26
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 45/02 申请日:20140812
实质审查的生效
2014-10-22
公开
公开
机译: P SiC SiC MOSFET用P掺杂粉末制造SiC MOSFET的方法和用该方法制造的SiC MOSFET
机译: P SiC SiC MOSFET用P掺杂粉末制造SiC MOSFET的方法和用该方法制造的SiC MOSFET
机译: 该化合物,desidratacao醇fenchilico的催化剂以及3-(2R)-exo-7.7-二甲基-norbornano)-L-丙氨酸和αL-天冬氨酰((2R)-exo-77- dimetilnorbornil)-L-丙氨酸,用于嘌呤醇,(+)-α-fenchilico产生αfencheno,并产生3-(2R)-exo-77-dimetilnorbornil)-L-丙氨酸光学活性或其酯的alquilico内部