法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-18
授权
授权
2014-10-29
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 9/24 申请日:20140710
实质审查的生效
2014-10-08
公开
公开
机译: 用于半导体元件阵列的密度梯度的多阶段平滑的方法,具有在子阵列中布置具有密度梯度的单元组,其中每个单元的特征密度小于具有另一梯度的单元的特征密度
机译: 使用密度法进行密度梯度离心和分层插入的方法
机译: 通过在液体中加入结晶改性剂从节水拜耳法液体中回收氢氧化铝晶体的方法,一种改进的从包含铝酸钠水相的拜耳法液体中生产氢氧化铝的方法,该液体通过分离得到不溶于苛性碱的悬浮固体,通过拜耳法生产氢氧化铝的改进的结晶改性剂组合物,拜耳法生产氢氧化铝晶体的方法,减少了同时产物的细粉形成,氢氧化铝颗粒尺寸向上移动氢氧化铝产物和氢氧化铝晶体的总收率没有明显降低的分布”