公开/公告号CN203179935U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 广州市众拓光电科技有限公司;
申请/专利号CN201220684097.9
发明设计人 李国强;
申请日2012-12-11
分类号H01L33/02(20100101);H01L33/32(20100101);
代理机构广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙);
代理人汤喜友
地址 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房
入库时间 2022-08-21 23:53:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-10
专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/02 登记生效日:20200323 变更前: 变更后: 申请日:20121211
专利申请权、专利权的转移
2013-09-04
授权
授权
机译: 沉积在ALN基板上的Ti(N)薄膜电阻器和使用该电阻的衰减器
机译: 沉积在ALN基板上的Ti(N)薄膜电阻器和使用该电阻的衰减器
机译: 一种通过循环沉积法在基板上沉积含FI薄膜的方法