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双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备

摘要

本实用新型为一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备。利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换,将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜或微米膜。同时利用另一离子束在淀积前对靶材或衬底材料进行原位轰击,实现表面材料的原子级清洗;或者轰击正在淀积的薄膜,原位改善薄膜的机械特性和电特性。这种以纳米尺寸的逐原子层淀积的薄膜,实现了不同薄膜层间的原子键合,使得膜层具有了粘附性牢、均匀性和致密性好、极小内应力的优点,大大地提高了薄膜的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN2734774Y

    专利类型

  • 公开/公告日2005-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 雷卫武;

    申请/专利号CN200420068277.X

  • 发明设计人 雷卫武;

    申请日2004-07-28

  • 分类号C23C14/34;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 410002 湖南省长沙市苏家巷36号

  • 入库时间 2022-08-21 22:49:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-09

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2009-06-03

    地址不明的通知 收件人:雷卫武 文件名称:专利权终止通知书 申请日:20040728

    地址不明的通知

  • 2005-10-19

    授权

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