首页> 中国专利> 一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法

一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法

摘要

本发明涉及一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法。1)在1450-1650℃温度下,加入Al

著录项

  • 公开/公告号CN104326752B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽德润工业设备有限公司;

    申请/专利号CN201410508580.5

  • 发明设计人 施春阳;

    申请日2014-09-28

  • 分类号

  • 代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司;

  • 代理人方琦

  • 地址 242800 安徽省池州市青阳县经济开发区东河园7号

  • 入库时间 2022-08-23 09:37:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-06

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/64 申请日:20140928

    实质审查的生效

  • 2015-02-04

    公开

    公开

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