公开/公告号CN103400839B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201310354719.0
申请日2013-08-14
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陆花
地址 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 09:35:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-02
授权
授权
2013-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20130814
实质审查的生效
2013-11-20
公开
公开
机译: 最终的掩模版图产生方法,涉及将辅助掩模版图的主要结构光学地分配给在光学邻近校正过程的框架内变化的散布条。
机译: 设计版图的方法,制造半导体结构的方法以及半导体结构
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